2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2SB1216T-TL-H

Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.

2SB1216T-TL-H

Kılıf / Paket
TO-252-3
Açıklama
2SB1216 - BIPOLAR TRANSISTOR, -1

2SB1216T-TL-H Hakkında

2SB1216T-TL-H, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistor (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kollektör akımı, 130MHz geçiş frekansı ve 1W güç disipasyonuna sahiptir. 100V kollektör-emitter voltajı ile güç elektronikleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulama bulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 200 @ 500mA, 5V minimum DC akım kazancı (hFE) ile stabil amplifikasyon karakteristiği sunar.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP-FA
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V