Görsel mevcut değil
2SB1216T-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 4A TP
2SB1216T-E Hakkında
2SB1216T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251-3 (IPak) through-hole paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında dayanıklıdır. 200 minimum DC current gain (hFE), 500mV saturation voltajı ve 1µA cutoff akımı ile belirtilen özellikleri sunar. 1W maksimum güç yayılımı kapasitesi olan bu komponent, endüstriyel kontrol devre elemanları, anahtarlama uygulamaları ve ses sinyali amplifikasyonu gibi alanlarda kullanıma uygundur. Komponent obsolete statüsü nedeniyle yalnızca stok tükenene kadar temin edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V