Görsel mevcut değil
2SB1215S-H
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 2SB1215 - BIPOLAR TRANSISTOR, -1
2SB1215S-H Hakkında
2SB1215S-H, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, 3A maximum collector akımı ve 140 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ve 500mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç dissipasyonu ile ses amplifikatörleri, güç sürücüleri ve DC motor kontrol uygulamalarında yer bulur. -40°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir ve through-hole montajı destekler.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V