Görsel mevcut değil
2SB1203S-H
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 5A TP
2SB1203S-H Hakkında
2SB1203S-H, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) short leads paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 5A collector akımı ile çalışabilir. 140 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 130MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uyundur. Maksimum 1W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği sunar. 550mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında anahtarlama gerçekleştirir. Güç kaynakları, DC motor kontrol devreleri, sinyal anahtarlama ve genel amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Not: Bu bileşen discontinued (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V