Görsel mevcut değil
2SB1202T-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 5A TP
2SB1202T-E Hakkında
2SB1202T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector akımı 3A, breakdown voltajı 50V ve maksimum güç dissipasyonu 1W'tır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığı desteği sunmaktadır. Saturation voltajı 700mV'dir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı BJT devre tasarımlarında tercih edilebilir. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V