Görsel mevcut değil
2SB1201T-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 2A TP
2SB1201T-E Hakkında
2SB1201T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. 50V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mW güç tüketim kapasitesine sahip bu transistör, 150MHz transition frequency ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251-3 (IPak) paketlemesinde sunulan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA'de 200 minimum değerdedir. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V