Görsel mevcut değil
2SB1188T100R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 2A SO-89
2SB1188T100R Hakkında
2SB1188T100R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile TO-243AA paketinde sunulmaktadır. Maximum 2A kollektör akımı ve 32V Vce breakdown voltajı ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile orta frekanslı devrelerde çalışabilir. 180 minimum DC current gain (hFE) özellikleri sayesinde hassas amplifikasyon gerektiren ses, radyo frekans ve genel sinyal işleme devrelerine uygun tasarlanmıştır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlar için hazırlanmıştır. 2W güç tüketim limiti ile enerji verimli devrelerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V