Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
2SB1181TLQ (2SB1181) PNP Bipolar Transistör TO-252 1A 80V
2SB1181TLQ
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TO-252
- Açıklama
- 2SB1181TLQ, PNP polaritesinde silisyum tabanlı bipolar transistör. TO-252 kasa tipi, 1A maksimum kolektör akımı, 80V gerilim, 15W güç tüketimine sahiptir.
- Aile / Seri
- 2SB1181
2SB1181TLQ (2SB1181) PNP Bipolar Transistör TO-252 1A 80V Hakkında
2SB1181TLQ, PNP tipi silisyum bipolar transistördür. TO-252 kasada paketlenmiş olup 1A maksimum kolektör akımı ve 80V kolektör-emiter gerilimi ile tasarlanmıştır. Maksimum güç tüketimi 15W, ileri akım transfer oranı (hFE) en az 90'dır. 175°C'ye kadar çalışabilir. Güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
CPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
İlgili Ürünler
