Görsel mevcut değil
2SB11560P
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 20A TOP-3F
2SB11560P Hakkında
2SB11560P, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TOP-3F paketinde üretilen bu komponent, 80V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 20A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3W maksimum güç derecelendirmesi ve 130 minimum DC current gain (hFE) ile orta güç seviyesinde anahtar ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 30MHz transition frequency, sınırlı hızlı anahtarlama işlemleri için yeterlidir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 10µA kollektör cutoff akımı düşük kaçak akımını gösterir. Tipik uygulamalar: ses amplifikatörleri, motor sürücü devreleri, güç kontrolü ve anahatlama devreleri. (Üretimi durdurulmuş - Obsolete)
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
130 @ 3A, 2V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TOP-3F
Part Status
Obsolete
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
TOP-3F-A1
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 2A, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V