Görsel mevcut değil
2SB1132T100R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 1A SOT-89
2SB1132T100R Hakkında
2SB1132T100R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 32V kolektör-emitter gerilimi, 1A maksimum kolektör akımı ve 150MHz geçiş frekansı ile hızlı komutasyon gerektiren devreler için tasarlanmıştır. SOT-89 (TO-243AA) yüzeye monte paketi ile kompakt PCB tasarımına uygun olup, 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV saturasyon gerilimi ile düşük kayıplı anahtarlama sağlar. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, güç yönetimi ve genel sinyal komutasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V