Görsel mevcut değil
2SB1132T100P
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 1A SOT-89
2SB1132T100P Hakkında
2SB1132T100P, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 32V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektor akımı ile karakterizedir. TO-243AA (SOT-89) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150MHz geçiş frekansı ve 82 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, gerilim düzenleyicileri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. 500mV maksimum doyum gerilimi ile düşük sinyal kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V