Görsel mevcut değil
2SB1030ARA
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1
2SB1030ARA Hakkında
2SB1030ARA, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). NS-B1 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 50V kesme gerilimi ile uygulamalarda kontrol ve anahtarlama görevlerini gerçekleştirir. 120MHz transition frequency özelliğiyle orta frekans uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygun bir seçenektir. Through Hole montajı sayesinde geleneksel PCB uygulamalarında kullanılır. Kolektör-emiter saturasyon gerilimi 600mV'dur. Tipik elektronik cihazlarda, sinyal işleme, amplifikasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
NS-B1
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V