Görsel mevcut değil
2SARA41CT116R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 120V 50MA SST3
2SARA41CT116R Hakkında
2SARA41CT116R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) ürünüdür. Maksimum collector akımı 50 mA, maksimum collector-emitter voltajı 120 V ve maksimum power dissipation 200 mW olan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 140 MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun olan bu transistör, küçük boyutlu SO-23 (SST3) yüzey montajlı paketinde sunulur. DC current gain minimum 180 (2 mA, 6V'da) ve saturation voltajı 500 mV (1 mA base, 10 mA collector akımında) özelliğine sahiptir. Endüstriyel, tüketici elektroniği ve bilişim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V