Görsel mevcut değil
2SAR642PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP, -30V -10A, SOT-89, AUTOMOTI
2SAR642PHZGT100 Hakkında
2SAR642PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-243AA (SOT-89) paketinde sunulan bu transistör, -30V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile otomotiv ve endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. 240MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. 500mW güç dağılımı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı sayesinde zorlu çevre koşullarında güvenilir performans sunar. Yüksek akım kazancı (hFE min: 200 @ 500mA) ve düşük doyum voltajı (Vce: 400mV @ 2A) ile güç yönetimi, PWM kontrolü ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
240MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V