Görsel mevcut değil
2SAR586JGTLL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- PNP, TO-263AB, -80V -5A, POWER T
2SAR586JGTLL Hakkında
2SAR586JGTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A kolektör akımı ve 80V gerilim dayanımı ile çalışır. 40W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 200MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 değerindedir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
LPTL
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V