Görsel mevcut değil
2SAR582D3TL1
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- PNP, TO-252 (DPAK), -30V -10A, P
2SAR582D3TL1 Hakkında
2SAR582D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 10A maksimum kolektör akımı ve 30V maksimum Vce kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. 230MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200 minimum DC akım kazancı (1A, 3V koşullarında) ve 400mV saturasyon voltajı (200mA base, 4A collector akımında) ile verimli çalışma sağlar. 10W maksimum güç disipasyonu, 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde motor kontrolü, güç anahtarlaması ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition
230MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
TO-252
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V