Görsel mevcut değil
2SAR553PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP, SOT-89, -50V -2A, MEDIUM PO
2SAR553PHZGT100 Hakkında
2SAR553PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 2A kolektör akımı ile çalışabilir. 500mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Transistör, 320MHz transition frequency ve minimum 180 hFE DC akım kazancı ile karakterizedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Saturasyon gerilimi 400mV olup 35mA baz akımında ve 700mA kolektör akımında ölçülmüştür. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük-orta güçlü devrelerde kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V