Görsel mevcut değil
2SAR553P5T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP -50V -2A MEDIUM POWER TRANSI
2SAR553P5T100 Hakkında
2SAR553P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen orta güç seviyesinde PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-243AA paketinde sunulan bu tekil transistör, -50V maksimum Vce darbelenme voltajı ve -2A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 500mW maksimum güç disipasyonuna sahip komponent, 320MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 400mV saturasyon voltajı özellikleriyle 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri, küçük sinyal yükseltme ve darbe oluşturma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V