Görsel mevcut değil
2SAR512PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP, SOT-89, -30V -2A, MEDIUM PO
2SAR512PHZGT100 Hakkında
2SAR512PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 30V reverse breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 430MHz transition frequency ve 500mW maksimum güç yeteneği sayesinde orta frekanslı devrelerde çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değeri ile, 100mA'de 2V koşullarında ölçülmüştür. 400mV saturation voltajı düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
430MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V