Görsel mevcut değil
2SAR512P5T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP -30V -2A MEDIUM POWER TRANSI
2SAR512P5T100 Hakkında
2SAR512P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipinde medium power bipolar transistördür. -30V Vce breakdown voltajı ve maksimum 2A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağıtım kapasitesi, 430MHz transition frequency ve 200 minimum hFE değeri ile ses frekansı ve düşük frekansı RF devrelerinde sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlevlerinde uygulanabilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile geniş sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
430MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V