Görsel mevcut değil
2SAR502U3HZGT106
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP 500MA 30V GENERAL PURPOSE TR
2SAR502U3HZGT106 Hakkında
2SAR502U3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. 500mA kolektör akımı ve 30V maksimum kolektor-emiter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 520MHz transition frequency özelliği sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar gerektiren mobil cihazlar, ses amplifikatörleri, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi ve 200 minimum hFE değeri ile düşük sıcaklıkta güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
520MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V