Görsel mevcut değil
2SA965-Y,T6F(J
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
2SA965-Y,T6F(J Hakkında
2SA965-Y,T6F(J), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup 800mA maksimum kollektör akımı ve 120V maksimum Vce(Breakdown) ile çalışır. TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketinde sunulan bu komponent, 900mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 5V) ve 1V maksimum Vce saturation değerleri ile ses amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj özelliği ile geleneksel PCB tasarımlarına uygundur. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Ürün kullanım dışı (obsolete) status'undadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V