Görsel mevcut değil
2SA965-Y(F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
2SA965-Y(F,M) Hakkında
2SA965-Y(F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mA collector akımı ve 120V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç tüketimine ve 120MHz transition frekansına sahiptir. 80 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 100mA collector akımında ve 5V Vce'de çalışır. Genel sinyal işleme, anahtar uygulamaları ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde yer alır. Through hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uygundur. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V