Görsel mevcut değil
2SA965-Y,F(J
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
2SA965-Y,F(J Hakkında
2SA965-Y,F(J), Toshiba tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistörüdür. TO-226-3 (TO-92 uzun gövde) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V kesme voltajı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 5V koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. 120MHz geçiş frekansı ve 900mW maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Anahtarlama devreleri, darbe amplifikatörleri, ses frekansı uygulamaları ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarında tercih edilebilir. Komponent obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V