Görsel mevcut değil
2SA965-O(TE6,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
2SA965-O(TE6,F,M) Hakkında
2SA965-O(TE6,F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulmaktadır. 800 mA collector akımı, 120 V collector-emitter breakdown voltajı ve 900 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 120 MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 80 minimum hFE (100 mA, 5V koşullarında) ile güvenilir akım kazancı sağlar. Ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri, düşük frekanslı sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V