Görsel mevcut değil
2SA965-O,F(J
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
2SA965-O,F(J Hakkında
2SA965-O,F(J), Toshiba tarafından üretilen TO-92-3 paketinde PNP bipolar junction transistördür. Maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 5V), 120MHz transition frequency ve 900mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta seviye sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve düşük frekanslı RF uygulamalarında yer bulmuştur. Artık üretilmeyen (obsolete) bir bileşen olup, yüksek sayılı stok ya da muadil bileşenler aranması tavsiye edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V