Görsel mevcut değil
2SA949-Y(TE6,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
2SA949-Y(TE6,F,M) Hakkında
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50mA kolektör akımı ve 150V kesme voltajı ile çalışabilir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW güç tüketimine sahip olup, hFE değeri 70'dir (10mA, 5V'ta). Düşük sinyal amplifikasyonu, ses frekansı kuvvetlendirme, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı desteği sunar. Ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 1mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V