Görsel mevcut değil
2SA949-O(TE6,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
2SA949-O(TE6,F,M) Hakkında
2SA949-O(TE6,F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulan bu transistör, 50 mA maksimum collector akımı ve 150 V breakdown voltajı ile çalışır. 800 mW güç tüketimi ve 120 MHz transition frequency özelliğine sahiptir. DC gain değeri 10 mA, 5V koşullarında minimum 70 hFE'dir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, ses amplifikasyonu, sinyal anahtarlaması ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimleme yapılır. Ürün şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 1mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V