Görsel mevcut değil
2SA2215,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A
2SA2215,LF Hakkında
2SA2215,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SMD paketlemesi ile sunulmaktadır. Maximum 2.5A collector akımına ve 20V VCEO breakdown voltajına sahip bu transistör, 500mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) 200 (min) değerinde, VCE saturation voltajı 190mV'dir. Surface mount uygulamalarında sürücü devreler, anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. 3-SMD Flat Leads paketlemesi ile elektronik cihazlarda kompakt tasarımlar sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UFM
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
190mV @ 53mA, 1.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V