Görsel mevcut değil
2SA2154MFVGR,L3F
2SA2154MFVGR,L3F Hakkında
2SA2154MFVGR,L3F, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paket ile sağlanan bu transistör, maksimum 50V VCEO, 150mA kolektör akımı ve 150mW güç tüketimine sahiptir. 80MHz transition frequency ve minimum 200 DC current gain (hFE) ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 300mV saturation voltajı (10mA base, 100mA collector akımında) ile düşük enerji kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, sinyal anahtarlaması, darbe kütüphaneleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer bulur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
VESM
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V