Görsel mevcut değil
2SA2097(TE16L1,NQ)
2SA2097(TE16L1,NQ) Hakkında
2SA2097 serisi PNP bipolar junction transistör (BJT), Toshiba tarafından üretilen yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir komponenttir. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketi ile sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter voltajı ve 5A collector akımı kapasitesine sahiptir. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 500mA işletim akımında 2V Vce'de belirtilmiştir. İçerisinde entegre freewheel diyot bulunmayan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 1W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı sınırı ile belirtilmiştir. Aktif parça statüsü ile sürekli tedarik edilen bu komponentin vce saturation voltajı 270mV'dir (53mA Ib, 1.6A Ic'de).
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
270mV @ 53mA, 1.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V