Görsel mevcut değil
2SA2060(TE12L,ZF)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- MOSFET N-CH
2SA2060(TE12L,ZF) Hakkında
2SA2060(TE12L,ZF), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface Mount paket türünde sunulan bu komponent, 2A maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 200mV saturasyon voltajı ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilen ve 1W maksimum güç tüketimine sahip bu transistör, özellikle düşük sinyal amplifikasyonu, ses frekansı uygulamaları ve düşük frekanslı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. TO-243AA (PW-MINI) paket türü ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 300mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MINI
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 33mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V