Görsel mevcut değil
2SA1955FVBTPL3Z
2SA1955FVBTPL3Z Hakkında
2SA1955FVBTPL3Z, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistördür. 12V kollektör-emiter kırılma gerilimi ve 400mA maksimum kollektör akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri, RF ön uçları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 100mW maksimum güç derecelendirmesi ile enerji açısından verimli tasarımlar için elverişlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
400 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 mW
Supplier Device Package
VESM
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V