Görsel mevcut değil
2SA1955FVATPL3Z
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
2SA1955FVATPL3Z Hakkında
2SA1955FVATPL3Z, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi ve 400mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 100mW güç tüketimi sınırlaması altında çalışır. 130MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan 2SA1955, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 300'lü minimum DC current gain değeri ile stabil performans sağlar. Cihazın 250mV saturasyon gerilimi, düşük güçlü sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
400 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-101, SOT-883
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 mW
Supplier Device Package
CST3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V