Görsel mevcut değil
2SA1930(Q,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
2SA1930(Q,M) Hakkında
2SA1930(Q,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2A kolektör akımı ve 180V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200MHz transition frequency ve 100@100mA, 5V de minimum 100 DC akım kazancı özellikleriyle, ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. 2W maksimum güç dağıtımı ile 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 1V maksimum Vce saturation voltajı ile düşük kayıp kuvvetlendirme ve anahtarlama devreleri tasarımına olanak tanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220NIS
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
180 V