Görsel mevcut değil
2SA1761,T6F(M
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 3A 50V TO226-3
2SA1761,T6F(M Hakkında
2SA1761 Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 3A kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, 100MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama devrelerinde yer alabilir. TO-92 paket türüyle yerleştirme deliği (through hole) lehimlemeye uygun olup, analog ses amplifikatörleri, düşük frekans sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA'de 2V'te minimum 120'dir. Kolektör-emitter doyma gerilimi (VCE sat) 500mV'tur. İşletme sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Lojik devreler, opto-elektronik uygulamalar ve ses devreleri gibi geniş bir uygulama yelpazesinde kullanım bulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 75mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V