Görsel mevcut değil
2SA1721RTE85LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
2SA1721RTE85LF Hakkında
2SA1721RTE85LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 300V collector-emitter breakdown voltajına ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. 150mW güç tüketim kapasitesi ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Düşük güçlü kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V