Görsel mevcut değil
2SA1576U3HZGT106R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (-50V
2SA1576U3HZGT106R Hakkında
2SA1576U3HZGT106R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı PNP BJT transistördür. 50V collector-emitter bozulma gerilimi, 150mA maksimum collector akımı ve 200mW güç dissipassiyonu özellikleriyle düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 140MHz transition frekansı ile orta hız uygulamalarına uygun olan bu transistör, 120 minimum DC akım kazancı sağlar. SC-70 (SOT-323) surface mount paketi ile PCB'ye direkt monte edilebilir. Tüketici elektroniği, portatif cihazlar ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V