2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2SA1371E-AE Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2SA1371E-AE

Kılıf / Paket
Açıklama
DIODE

2SA1371E-AE Hakkında

2SA1371E-AE, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 Long Body paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışır. 300V VCEO breakdown voltajı ve 600mV saturation voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 10V koşullarında minimum 100 değerindedir. 1W maksimum güç tüketimine sahip olan bu transistör, sinyali değiştirme ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında yer bulur. Obsolete parça olduğundan yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez, mevcut sistemlerde bakım ve onarım amaçlı temin edilebilir.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Part Status Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Power - Max 1 W
Supplier Device Package 3-MP
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V