Görsel mevcut değil
2SA1313-Y,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
2SA1313-Y,LF Hakkında
2SA1313-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount (SMD) teknolojisine göre TO-236-3 (SOT-23-3) pakette sunulmaktadır. 50V kolektör-emiter aralığında 500mA'e kadar akım kapasitesi ile, 200MHz'e ulaşan transition frequency değeri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100mA, 1V değerlerinde 120 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Maksimum 200mW güç dissipasyonu ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 150°C'ye kadar yükseltilmiş çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses frekansı uygulamaları, kontrol devresi tasarımı gibi alanlarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V