Görsel mevcut değil
2SA1312GRTE85LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
2SA1312GRTE85LF Hakkında
2SA1312GRTE85LF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120V VCEO ile 100mA'e kadar kollektör akımını kaldırabilen transistör, 100MHz geçiş frekansına sahiptir. 200@2mA,6V DC akım kazancı ile darbe ve devre kontrol uygulamalarında, sinyal işleme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur. 150mW maksimum güç disipasyonu ile ultra-kompakt tasarım gerektiren taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V