Görsel mevcut değil
2SA1312-BL(TE85L,F
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
2SA1312-BL(TE85L,F Hakkında
2SA1312-BL(TE85L,F, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 120V Vce breakdown voltajı ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 150mW güç dissipasyonuna kadir ve 125°C işletme sıcaklığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA/6V koşullarında minimum 350 değerine sahip olup, 100MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda da tercih edilebilir. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük güçlü kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bu komponentin tipik Vce doyum voltajı 300mV'dir (1mA/10mA). Collector cutoff akımı maksimum 100nA'dır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V