Görsel mevcut değil
2SA1309ARA
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
2SA1309ARA Hakkında
2SA1309ARA, Panasonic tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). NS-B1 paketinde sunulan bu bileşen, 50V kollektör-emiter gerilimi altında 100mA'e kadar akım kapasitesine sahiptir. 210 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2mA, 10V) ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 80MHz transition frekansı ile analog ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. Maksimum 300mW güç dağıtımı kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılan kalıcı bir komponendir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
NS-B1
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V