Görsel mevcut değil
2SA1309A0A
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.1A
2SA1309A0A Hakkında
2SA1309A0A, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V kolektör-emitör gerilim ile çalışabilen bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 300mW güç tüketimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 160 ile 2mA ve 10V şartlarında belirtilmiştir. 80MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce doyum gerilimi 300mV olup, 5mA baz akımında 50mA kolektör akımı sağlayabilir. Through-hole montaj tipi 3-SIP paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yer bulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Mevcut olmayan (obsolete) bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
NS-B1
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V