Görsel mevcut değil
2SA1242-Y(Q)
2SA1242-Y(Q) Hakkında
2SA1242-Y(Q), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile TO-251-3 IPak paketinde sunulmaktadır. Maksimum 5A kolektör akımı ve 20V collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu transistör, 170MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilen komponent, 160 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Genellikle güç yönetimi, motor kontrolü, ses amplifikasyon devrelerinde ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç ve 1V saturation voltajı (4A'de) ile verimli çalışma sağlar. Lütfen dikkat: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V