Görsel mevcut değil
2SA1225-Y(Q)
2SA1225-Y(Q) Hakkında
2SA1225-Y(Q), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 160V kolektör-emitter gerilimi ve 1.5A kolektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, 100MHz geçiş frekansına sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, güç uygulamalarında, amplifikatör devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Minimum 120 hFE DC akım kazancı (100mA, 5V koşullarında) sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V