Görsel mevcut değil
2SA1182-GR,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR VCEO-30V IC-0.5A
2SA1182-GR,LF Hakkında
2SA1182-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 30V kolektör-emitter gerilim desteği ve 500mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz geçiş frekansı sayesinde orta frekanslı sinyal işleme devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. 150mW maksimum güç tüketimi ve kompakt TO-236 (SOT-23-3) yüzey montaj paketlemesi ile cep telefonları, kulaklık amplifikatörleri ve taşınabilir cihazlarda tercih edilir. 125°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V