Görsel mevcut değil
2SA1163-GR,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
2SA1163-GR,LF Hakkında
2SA1163-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 120V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 150mW güç kapasitesi ile düşük güçlü amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency'si ile orta frekanslı devrelerde performans gösterir. DC current gain (hFE) minimum değeri 2mA/6V şartlarında 200'dür. Gürültü filtreleme, işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve kontrol devrelerinde sıkça tercih edilen bir transistördür. SMD montaj özelliği kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V