Görsel mevcut değil
2SA1162S-Y,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
2SA1162S-Y,LF Hakkında
2SA1162S-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekanslı PNP bipolar junction transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 150mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü elektronik devrelerinde, ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V