2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2SA1162S-Y, LF(D Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2SA1162S-Y, LF(D

Üretici
Toshiba
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

2SA1162S-Y, LF(D Hakkında

2SA1162S-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür. SO-23 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum 150mA kollektor akımı ve 50V kat-yayıcı aralama gerilimi ile çalışabilir. 80MHz transition frekansı ve minimum 120 DC akım kazancı (2mA, 6V koşullarında) sayesinde sinyal anahtarlaması ve küçük sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılabilir. 150mW maksimum güç tüketimi ile portatif cihazlar, endüstriyel kontrol devreleri ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer alabilir. Maksimum 100nA cutoff akımı ile kapalı konumda kaçak akım düşüktür.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V